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IRFR9024NTRPBF

厂商名称：Infineon

元件分类：MOS管

中文描述：

功率场效应管,MOSFET,P通道,55 V,11 A,0.175 ohm,TO-252AA,表面安装

英文描述：

Power Field-Effect Transistor,11A I(D),55V,0.175ohm,1-Element,P-Channel,Silicon,Metal-oxide Semiconductor FET,TO-252AA,LEAD FREE,DPAK-3

数据手册：

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IRFR9024NTRPBF概述

IRFR9024NTRPBF是HEXFET®第五代单P沟道功率MOSFET，采用先进的处理技术，单位硅面积导通电阻极低。这一优势与快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，提供了极为高效的器件和可靠的运行。该器件专为使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5W。

先进的工艺技术

完全符合雪崩等级

低静态漏极至源极导通电阻

动态dV/dt额定值

应用车用

车用,电源管理

IRFR9024NTRPBF中文参数

制造商:	Infineon	Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, + 20 V
产品种类:	MOSFET	Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
技术:	Si	Qg-栅极电荷:	19 nC
安装风格:	SMD/SMT	最小工作温度:	- 55 ℃
封装 / 箱体:	TO-252-3	最大工作温度:	+ 150 ℃
晶体管极性:	P-Channel	Pd-功率耗散:	38 W
通道数量:	1 Channel	通道模式:	Enhancement
Vds-漏源极击穿电压:	55 V	高度:	2.3 mm
Id-连续漏极电流:	11 A	长度:	6.5 mm
Rds On-漏源导通电阻:	175 mOhms